На проходящем в конце сентября 2026 года в Сириусе форуме «Микроэлектроника 2026» первый вице-премьер РФ Денис Мантуров сделал заявление, которое для отечественной полупроводниковой отрасли звучит как смена эпох: совместно с белорусскими партнёрами изготовлен опытный образец литографической установки с проектными нормами 130 нм. Для неё разработан собственный эксимерный лазер — источник излучения, который ранее производили только две страны мира: США и Япония. Глава Минпромторга Антон Алиханов добавил, что осенью стартуют приёмочные испытания, а завершить их планируется до конца года.
Это не первая подобная установка. Весной 2025 года государственную комиссию прошёл 350-нанометровый литограф «Прогресс СТП-350», разработанный Зеленоградским нанотехнологическим центром (ЗНТЦ) совместно с минским ОАО «Планар». Две первые машины уже поставлены предприятиям — их получила компания «Отраслевые решения» из группы «Элемент», работающая в сфере силовой электроники. Теперь на подходе второй по счёту литограф — и он принципиально сложнее первого.
От 350 нм к 130: смена физической платформы
Переход с 350 на 130 нанометров — не просто уменьшение числа в техническом задании. Это смена физической основы. Если в 350-нанометровой установке источником излучения служила ртутная лампа с длиной волны 365 нм, то для 130 нм требуется эксимерный ArF-лазер с длиной волны 193 нм. Другой источник света — значит, другая оптика, другие фоторезисты, другие допуски. В мировой практике именно ArF-лазеры применяются для глубокой ультрафиолетовой (DUV) литографии, которая обеспечивает производство чипов с нормами 130 нм и меньше.
Разработку лазерной части выполнила российская группа компаний «Лассард» в рамках отдельного контракта стоимостью около 500 миллионов рублей. Изготовлены два опытных образца, оценённых примерно в 49 и 46 миллионов рублей каждый. Параллельно «Планар» выполнил разработку конструкторской документации, изготовление механических узлов и наладку опытного образца — на общую сумму свыше 440 миллионов рублей. ЗНТЦ взял на себя системную интеграцию: расчёт проекционных объективов, конструирование стендов, моделирование технологического процесса. Три организации из двух стран собрали воедино лазерную физику, прецизионную механику и оптическое проектирование.
Общий бюджет опытно-конструкторских работ по 130-нанометровому литографу составил 5,7 миллиарда рублей. Акт сдачи-приёмки третьего, заключительного этапа ОКР подписан 7 августа 2026 года.
Что именно создано
В рамках завершённого этапа изготовлен не только сам степпер, но и целый комплекс технологического оснащения:
- опытный образец фотолитографической установки для пластин диаметром до 200 мм;
- два опытных образца эксимерного лазера с длиной волны 193 нм;
- комплект фотошаблонов и тестовых структур;
- стенд для измерения и контроля фотолитографических и аберрационных характеристик проекционных объективов;
- отработанные базовые технологические процессы переноса изображения.
Установка рассчитана на полупроводниковые пластины диаметром до 200 миллиметров и предназначена для проекционного переноса топологического рисунка интегральных схем — то есть для поштучного «печатания» структур микросхем на кремниевой подложке с последующей мультипликацией (повторением) изображения по всей поверхности пластины.
Почему именно 130 нм
Может показаться, что 130 нанометров — это технологический уровень начала 2000-х: на таких нормах выпускались процессоры Pentium 4 и первые Athlon 64. Однако прямое сравнение с потребительской электроникой вводит в заблуждение. Нормы 130 нм остаются рабочим стандартом для огромного сектора промышленной электроники, где ключевыми требованиями выступают надёжность, долговечность и устойчивость к внешним воздействиям, а не плотность транзисторов на квадратный миллиметр.
Вот что можно производить на литографе с такими проектными нормами:
- автомобильные контроллеры и блоки управления двигателем;
- преобразователи и силовые модули для энергетики;
- микросхемы для базовых станций связи и телекоммуникационного оборудования;
- защищённые микроконтроллеры для платёжных систем и идентификации;
- интерфейсные компоненты для авиации и космических аппаратов;
- датчики, МЭМС и компоненты промышленной автоматики.
Руководитель проектов SNDGlobal Константин Лапотко в комментарии для отраслевого издания пояснил: нормативы 130 нм на 200-миллиметровых пластинах представляют собой основной рабочий стандарт для промышленной электроники. Всё это производится на нормах, которые не требуют трёх или семи нанометров, но требуют доступного и обслуживаемого литографа.
Дорога от образца до серии
Важно не перепутать завершение этапа ОКР с готовностью оборудования к промышленной эксплуатации. 130-нанометровая установка имеет статус опытного образца. Впереди — предварительные испытания, постановка базового технологического процесса и только потом полноценная работа с заказчиками. Контрактацию серийных поставок планируют начать в 2027 году. Серийное производство лазеров также пока не запущено: два изготовленных экземпляра подтверждают, что российская команда смогла пройти от принципиальной схемы к физическим изделиям, но до серийного выпуска предстоит квалификация и отработка.
Заместитель министра промышленности и торговли Василий Шпак в эксклюзивном интервью Бизнес ФМ уточнил сроки: приёмо-сдаточные испытания машины на 130 нм пройдут до конца 2026 года, отдельные этапы приёмки уже завершены, ведётся технологическая отработка. Физически образец будет готов в этом году, а контрактация и отгрузка серийных машин начнётся со следующего. По установке на 350 нм контракты уже подписаны, две первые машины находятся в производстве. По данным источников, близких к ведомству, передача первой серийной 350-нанометровой машины заказчику запланирована на декабрь 2026 года.
Емкость российского рынка для литографов такого класса оценивается экспертами в 15–25 единиц до 2030–2032 годов с учётом износа текущего парка зарубежных машин. Производство будет штучным, мелкосерийным.
Три установки за два года
ЗНТЦ заслужил внимание не громкими обещаниями, а тем, что выполняет их одно за другим. За неполные два года организация представила три установки разного типа и разного разрешения, каждая сложнее предыдущей:
- 350 нм, проекционный литограф — прошёл госкомиссию весной 2025 года, поставлен компании «Отраслевые решения» (ГК «Элемент»), работает на ртутной лампе 365 нм;
- 150 нм, электронно-лучевой литограф — два опытных образца проходят испытания, применяется для изготовления фотошаблонов;
- 130 нм, проекционный литограф — опытный образец готов, приёмочные испытания стартовали осенью 2026 года, работает на эксимерном лазере 193 нм.
Ни одна из этих машин не осталась на стадии «концепции» или «эскизного проекта». Для отрасли, где ещё недавно за десятилетие не было создано ни одной собственной литографической установки, это качественный сдвиг.
Кто стоит за проектом
История проекта уходит корнями в 2021 год, когда Минпромторг провёл два конкурса на разработку отечественных литографов: первый — на установку с топологией до 130 нм с перспективой модернизации до 65 нм, второй — до 350 нм. ЗНТЦ стал победителем обоих как единственный участник. Финальная стоимость контракта по первому конкурсу составила 5,7 миллиарда рублей, по второму — около одного миллиарда.
ЗНТЦ учреждён Зеленоградским инновационно-технологическим центром (частная компания) и государственным Фондом инфраструктурных и образовательных программ «Роснано». Помимо разработки оборудования, центр ведёт около 35 стартапов в области микросхем, датчиков, МЭМС и интегральной фотоники. Генеральный директор Анатолий Ковалёв прямо признаёт: в России за последние десятилетия были утрачены компетенции по созданию средств производства для микроэлектроники почти по всем направлениям. Обращение к белорусскому «Планару» — не случайность: предприятие сохранило школу разработки литографов ещё со времён СССР.
Дальше — 90 нм и ниже
На форуме «Микроэлектроника 2026» Антон Алиханов сообщил, что техническое задание на сканирующий фотолитограф с разрешением 90 нанометров уже подготовлено. Сейчас идёт отбор исполнителя. Ранее, в сентябре 2025 года, Мантуров на аналогичном форуме заявлял о намерении двигаться поступательно — вплоть до 28 нм и ниже.
Дорожная карта Минпромторга предполагает достижение топологии 65 нм к 2026–2027 годам и 28 нм — к 2027–2030 годам. Серьёзные эксперты признают: эти сроки могут сдвигаться. Однако появление собственного 193-нм лазера открывает технологический путь к нормам 90 и 65 нм, поскольку именно ArF-источники лежат в основе мировой DUV-литографии для этих техпроцессов.
Параллельно в Зеленограде завершается создание научно-технологического центра для выпуска фотошаблонов с поэтапным освоением норм вплоть до 28 нм. За последние три года в России освоено производство около 60 критически важных материалов и химических продуктов для микроэлектроники, ещё примерно столько же наименований должны выйти на рынок к 2029 году.
Контекст: мир тем временем уходит дальше
Пока Россия осваивает 130 нм, на тайваньских мощностях TSMC началось серийное производство 2-нанометровых систем на кристалле для смартфонов Apple. Это делается с помощью EUV-литографов нидерландской ASML — единственного мирового монополиста в сфере оборудования для литографии экстремального ультрафиолета. Разрыв очевиден, и никто из ответственных лиц в России его не скрывает. Мантуров в интервью «Коммерсанту» сформулировал ситуацию прямо: в обозримой перспективе России не будут доступны зарубежные литографы и оборудование для обработки пластин. Альтернативы собственной разработке нет.
Институт физики микроструктур РАН обнародовал собственную дорожную карту EUV-литографа — с принципиально иной архитектурой, чем у ASML, и сроками до 2037 года. Это горизонт стратегического планирования, где говорить о готовых изделиях преждевременно. Но 130 нм — это не горизонт. Это инструмент, который нужен отрасли уже сейчас.
Что это значит для отрасли
Появление собственного 130-нанометрового литографа — не символический жест и не витринная разработка. Это конкретный производственный инструмент, который закрывает пласт номенклатуры, сейчас заказываемой за рубежом. Для отечественных фабрик — в первую очередь зеленоградского «Микрона» — это возможность выпускать продукцию полного цикла, не покидая страну. Для потребителей — производителей автомобилей, энергетического оборудования, телеком-инфраструктуры — это перспектива получения отечественных чипов на отечественном оборудовании.
Конечно, от опытного образца до промышленной эксплуатации — путь неблизкий. Но этот путь в России впервые проходят на собственной технологической базе, с собственным лазером, собственной оптикой и собственными расчётами. Не импортные модули под российской маркой, а разработка, выполненная тремя организациями из двух стран союзного государства. И если 350 нм было первым шагом, то 130 нм — первым шагом, который выводит отечественную микроэлектронику в класс технологий, на которых держится современная промышленность.
Напомним, ранее «Листай.ру» рассказывал, что Россия готовит сюрприз в «космической гонке» для всего мира
